인출 사이클 (fetch cycle)
간접 사이클 (indirect cycle) : 필요한 경우에만 유효주소 계산
실행 사이클 (execute cycle) : 데이터/오퍼랜드 인출
인터럽트 사이클 (interrupt cycle) : 인터럽트 서비스 루틴 시작(실행하러 fetch cycle로 감)
CISC (Complexed Instruction Set Computer)
RISC (Reduced Instruction Set Computer)
소프트웨어 중심
하드웨어 중심
명령 처리에 레지스터만 이용
상대적으로 범용 레지스터가 적다.
상대적으로 범용 레지스터가 많다.
마이크로프로그래밍 제어(마이크로 코드)방식 사용
하드와이어드(고정배선)방식 사용
인텔사의 x86 시리즈에 사용
마이크로 프로그램 제어
하드와이어드 제어
ROM이 사용
ROM이 사용X
1. 임의 접근 기억장치 (Random Access Memory: RAM)
플립플롭 방식의 기억소자를 가짐
전원 공급이 있는 한 내용 기억
DRAM
SRAM
속도
느리다
빠르다
비트당 가격
저렴하다
비싸다
밀도
높다
낮다
전력소모
적다
많다
재충전
필요하다
필요없다
용도
메인메모리
캐시메모리
3. 읽기 전용 기억장치(Read Only Memory: ROM) (2) PROM(Programmable ROM)
여러 번 지우고 기록 가능,
UV-EPROM - 자외선 이용, 초기 상태로 복원 가능
EEPROM(Electrically EPROM) - 전기 신호 이용, 기록과 삭제 가능
블록 단위 읽기, 쓰기, 지우기 가능한 EEPROM
비휘발성인 ROM의 장점 + 정보 입출력이 자유로운 RAM의 장점
NAND 플래시는 대용량화에 유리, 쓰기 지우기 속도 빠름
NOR 플래시는 읽기 빠름
2^k * n → PC&MBR: n bit, MAR: k bit
기억장치 각 주소의 저장 크기와 실제 저장할 데이터의 크기가 다를 경우 기억장치에 바이트를 배열하는 방법
Little Endian: 하위 바이트를 낮은 주소에 저장
Big Endian: 상위 바이트를 낮은 주소에 저장
즉시 쓰기 방식(Write-Through): 캐시와 주기억장치의 일관성 중심
나중 쓰기 방식(Write-Back): 고속 유지 중심
(1) 연관 기억장치(Associative Memory)
기억된 정보의 일부분을 이용하여 원하는 정보에 접근
기억장치 모듈을 여러 개 가진다.
하나의 사이클 타임에 여러 개의 워드를 시분할로 판독
기억장치 접근효율 향상, 메모리 대역폭 확장 → 속도 향상
THEMA 20 RAID (Redundant Array of Inexpensive/Independent Disks)
Striping, 분산
nonredundant, 오류 대응 X → 신뢰성 X
Mirroring, 중복 저장 → 실시간 오류 해결 가능
쓰기 성능 떨어짐
블록 단위
1개의 패리티 디스크
Round Robin 방식으로 패리티 정보를 모든 디스크에 분산
(1) 기억장치-사상 방식(Memory-Mapped)
기억장치 주소 영역의 일부분을 입출력장치의 주소 영역으로 할당
같은 읽기 쓰기 신호 사용
입출력장치의 주소 영역을 별도의 공간에 할당
별도의 입출력 명령어 사용
비동기 방식
제어라인 1개
수신여부 모름
송신측, 수신측 모두 스트로브 신호 보낼 수 있다.
비동기 방식
양쪽에 제어신호를 보내주는 별도의 회선을 가짐
수신 확인 가능
(2) DMA(Direct Memory Access) 이용
입출력장치와 주기억장치 사이에 위치
Cycle Stealing
대량의 데이터 전송할 때 입터럽트-구동 방식보다 효율적
입출력장치와 주기억장치 사이에 위치
Selector Channel, Byte Multiplexer Channel, Block Multiplexer Channel